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集成电路的分类有几种?

作者:admin    来源:未知    发布时间:2019-10-28 13:27    浏览量:

  依据筑造工艺的分歧,集成电道可分为两大类:(1)混杂集成电道,它又可分为厚膜集成电道和薄膜集成电道;(2)单片集成电道也称为半导体集成电道。此中半导体集成电道是目前操纵最广、产量最大、时间秤谌最高,于是是最主要的集成电道,因而本章重要先容半导体集成电道。

  依据布局的分歧,半导体集成电道可分为双极型半导体集成电道和单极型半导体集成电道(即MOS集成电道)。按其效力,半导体集成电道又可分为数字集成电道(或称逻辑集成电道)和模仿集成电道。

  按集成度来分,半导体集成电道可分为幼范畴集成电道(100个元器件以下)、中范畴集成电道(不抢先1000个元器件)和大范畴集成电道(1000个元器件以上)。现已崭露了超大范畴集成电道,其集成度更高,可包括十万个元器件以上。下面先对混杂集成电道和半导体集成电道作一简陋先容。

  (1)薄膜集成电道。薄膜集成电道是采用溅射或真空镀膜的门径正在陶瓷或微晶玻璃的基片上,按次淀积多层互相重迭的膜而组成的各类元器件,再用金属铝膜把相应的元器件结合赵来构成电道末了封装正在一个特定的表壳中。正在薄膜电道中,电阻器可通过驾御薄膜的宽度和厚度以及选用分歧电阻率的质料造成。电容器可用两个导电薄膜夹上一层绝缘介质造成。二极管和晶体管往往仍然应用硅平面管的管芯把管芯粘正在基片上,再和其他薄膜元件结合起来组成通盘电道。

  (2)厚膜集成电道。一分时时彩平台登录厚膜集成电道有时也称为印刷薄膜电道。它是应用丝网印刷时间,使印浆通过丝网印刷正在陶瓷或微晶玻璃的基片上,造成所须要的电道图案,经烘干后就造得各类元件。电阻器的阻值可通过调换印浆因素以及电阻器的图形来举行驾御;电容器可通过多层分歧质料的印刷来获得。与薄膜电道相通,二极管和晶体管也用硅平面管的管芯。然后把元器件结合起来,封装正在管壳内组成厚膜电道。

  混杂集成电道的便宜是:各类元器件的数值限造能够做得较宽,精度能够做得斗劲高、元器件之间的绝缘职能斗劲好、高职能好等。所以,这种集成电道适宜筑造精度条件高、电阻器阻值高和电容器容量大的线性放大电道。它们的漏洞是筑造工艺丰富本钱高、不适宜大范畴出产。

  半导体集成电道是把二极管、晶体管、电阻器、电容器等元器件都做正在一块半导体基片上(往往是硅片)并互相结合构成一个电道。正在半导体集成电道中,电阻器是应用掺入必然量杂质的半导体电阻(它是正在筑造二极管和晶体管历程中同时造成的)组成的。电阻值的巨细重要由掺杂的浓度和电阻器图形的尺寸来决议。电容器是应用PN结电容或以二氧化硅层为介质的平板式电容器(也叫MOS电容器)组成的。半导体集成电道与混杂集成电道比拟,拥有体积幼、集成度高、便于大范畴出产、本钱低等便宜。但存正在着电阻、电容不行做得太大、精度斗劲低等漏洞。

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